Número de Producto del Fabricante:
TQM130NB06CR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TQM130NB06CR RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Inventario:
3963 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945294
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TQM130NB06CR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2234 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFNU (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TQM130
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1801-TQM130NB06CRRLGTR
1801-TQM130NB06CRTR-DG
TQM130NB06CR
1801-TQM130NB06CRRLGDKR
1801-TQM130NB06CRRLGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TQM025NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
STL50NH3LL
MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
STP7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
